AES分析による積層試料の割断面評価(C0335)
割断サンプルで50nm薄膜を可視化
概要
AES分析は最表面から数nm深さまでの組成情報を得る手法ですが、試料の断面からAES測定を行って元素分布像を得ることで、層構造を明瞭に評価することが可能です。積層構造の評価やトレンチやホールの内壁の元素分析に加え、機械加工やイオンビーム加工を併用することで、薄い合金層や元素の拡散・偏析等も評価可能です。
本事例ではSi基板上に成膜された薄膜について、AES分析を用いて評価したデータをご紹介します。
データ
| MST技術資料No. | C0335 |
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| 掲載日 | 2014/04/10 |
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| 測定法・加工法 | ［AES］オージェ電子分光法
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| 製品分野 | LSI・メモリ
電子部品
製造装置・部品
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| 分析目的 | 組成評価・同定
組成分布評価
形状評価
故障解析・不良解析
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