SiCパワーデバイスは、電力損失を抑え、小型で大電力を扱える電力変換素子として期待されています。 デバイスの特性を向上させるために必要なゲート酸化膜の膜厚、密度をXRR(X線反射率法)および結合状態をXPS(X線光電子分光法)で評価した事例をご紹介します。
ゲート酸化膜の膜厚、密度、結合状態などが定量的に扱え、プロセス管理等に有効です。
サンプルご提供:奈良先端科学技術大学院大学 冬木隆研究室
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