SiC基板のゲート酸化膜評価(C0281)

膜厚・密度・結合状態を評価

MST技術資料No.C0281
掲載日2013/01/24
測定法・加工法[XPS]X線光電子分光法
[XRR]X線反射率法
製品分野パワーデバイス
分析目的化学結合状態評価
膜厚評価

概要

SiCパワーデバイスは、電力損失を抑え、小型で大電力を扱える電力変換素子として期待されています。
デバイスの特性を向上させるために必要なゲート酸化膜の膜厚、密度をXRR(X線反射率法)および結合状態をXPS(X線光電子分光法)で評価した事例をご紹介します。

データ

ゲート酸化膜の膜厚、密度、結合状態などが定量的に扱え、プロセス管理等に有効です。

サンプルご提供:奈良先端科学技術大学院大学 冬木隆研究室

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