03-3749-2525

分析お問い合わせフォーム

資料請求フォーム

ホール側壁ONO膜の構造観察(C0005)

FIB法による特定箇所の平面TEM観察

概要

ナノオーダーでの加工が可能なFIB技術を用いることにより、特定箇所の平面TEM観察が可能です。
これにより、断面からの観察では構造の確認が困難なホール側壁のキャパシタ絶縁膜のONO三層構造（シリコン酸化膜／シリコン窒化膜／シリコン酸化膜）が確認できます。

データ

この分析事例のPDFファイルを開くホール側壁ONO膜の構造観察

ホール側壁ONO膜の構造観察

MST技術資料No.	C0005
掲載日	2010/01/01
測定法・加工法	［(S)TEM］（走査）透過電子顕微鏡法［FIB］集束イオンビーム加工
製品分野	LSI・メモリ
分析目的	形状評価故障解析・不良解析

関連する分析事例

イメージ	掲載日	タイトル	測定法・加工法	製品分野	分析目的
	2024/08/29	酸化ガリウムGa2O3イオン注入ダメージ層の評価(C0718)	［(S)TEM］（走査）透過電子顕微鏡法［AFM］原子間力顕微鏡法［FIB］集束イオンビーム加工	パワーデバイス酸化物半導体	形状評価構造評価
	2024/05/23	SiCパワートランジスタリーク箇所の成分分析(C0711)	［SEM-EDX］エネルギー分散型X線分光法（SEM）［Slice&View］三次元SEM観察法［EMS］エミッション顕微鏡法［FIB］集束イオンビーム加工	パワーデバイス	故障解析・不良解析製品調査
	2023/11/30	ノーマリーオフ型GaN HEMT二次元電子ガス層評価(C0702)	［SIMS］二次イオン質量分析法［(S)TEM］（走査）透過電子顕微鏡法［SCM］走査型静電容量顕微鏡法・［SNDM］走査型非線形誘電率顕微鏡法［SMM］走査型マイクロ波顕微鏡法	パワーデバイス	微量濃度評価形状評価構造評価製品調査
	2021/02/11	二次電池負極SEI被膜の元素分布評価・化学状態評価(C0645)	［TOF-SIMS］飛行時間型二次イオン質量分析法［XPS］X線光電子分光法［SEM］走査電子顕微鏡法［(S)TEM］（走査）透過電子顕微鏡法［TEM-EELS］電子エネルギー損失分光法雰囲気制御下での処理	二次電池	化学結合状態評価組成分布評価形状評価膜厚評価構造評価製品調査
	2021/01/14	毛髪断面の微細構造（S)TEM分析(C0643)	［(S)TEM］（走査）透過電子顕微鏡法［TEM-EDX］エネルギー分散型X線分光法（TEM）ウルトラミクロトーム加工その他	バイオテクノロジ医薬品化粧品日用品	組成評価・同定組成分布評価形状評価膜厚評価
	2021/01/14	ネガティブ染色による(S)TEM観察事例(C0642)	［(S)TEM］（走査）透過電子顕微鏡法その他	医薬品化粧品日用品食品	形状評価製品調査
	2020/11/26	電子染色を用いた高分子材料の(S)TEM観察(C0640)	［(S)TEM］（走査）透過電子顕微鏡法その他	日用品その他	形状評価その他
	2020/07/30	二次電池正極活物質の局所領域評価(C0614)	［(S)TEM］（走査）透過電子顕微鏡法［TEM-EDX］エネルギー分散型X線分光法（TEM）［TEM-EELS］電子エネルギー損失分光法	二次電池	化学結合状態評価組成分布評価構造評価製品調査
	2020/07/30	X線小角散乱法によるAuナノ粒子の粒径解析(C0613)	［(S)TEM］（走査）透過電子顕微鏡法［SAXS］X線小角散乱法	二次電池燃料電池化粧品その他	形状評価
	2020/07/16	Xe-PFIBを用いた広域断面のSEM観察(C0610)	［SEM］走査電子顕微鏡法 X線CT法［FIB］集束イオンビーム加工	LSI・メモリ	形状評価構造評価製品調査

分析のご相談・お申し込み

知識豊富な営業担当が、最適な分析プランをご提案。
分析費用のお見積りもお気軽にお問い合わせください。
相談・お申し込みは、専用のフォームかお電話でどうぞ。

webからのお問い合わせはこちら

分析お問い合わせフォーム

お電話からのお問い合わせはこちら

無アルカリガラス中の金属不純物の定性と定量評価(B0303)

SIMS分析データの再現性(B0301)

ノーマリーオフ型GaN HEMT二次元電子ガス層評価(C0702)

深紫外LED中Mgの深さ方向濃度分析(C0692)

低温PL・SIMS分析によるSi基板に含まれる格子間型炭素の評価(C0481)

SSDP-SIMSによるゲート電極から基板へのBの突き抜け量評価(C0028)

半導体基板中軽元素の高感度分析(C0117)

SIMS・SCM・TEMによるSiCパワーMOSFETの活性層評価(C0291)

SMMおよびSNDMによるSiC Trench MOSFETの拡散層評価(C0556)

SRAによるIGBTチップのキャリア濃度分布評価(C0443)

ページトップへ

(C) 2015 Foundation for Promotion of Material Science and Technology of Japan.