代表的な材料・目的別のTDS解析例(B0232)

TDS:昇温脱離ガス分析法

MST技術資料No.B0232
掲載日2017/03/30
測定法・加工法[TDS]昇温脱離ガス分析法
製品分野LSI・メモリ
パワーデバイス
電子部品
ディスプレイ
製造装置・部品
酸化物半導体
分析目的微量濃度評価
その他

概要

TDSは高真空中(1E-7 Pa)で試料を昇温させ、脱離したガスを検出する手法です。高真空中で試料を等速昇温するため微量な脱ガス(単原子層レベル)についても温度依存性を確認することができます。また一部の成分については脱離したガスの分子数も算出可能です。
以下に、代表的な材料別にTDSを適用した例をご紹介します。

解析例

関連する分析事例

イメージ 掲載日 タイトル 測定法・加工法 製品分野 分析目的
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