めっき試料の脱ガス評価(C0464)
Ni/Auめっきの昇温脱離ガス分析(TDS)
概要
めっき膜にガスが含有されている場合、はがれや膨れ、膜中の気泡など不良の原因となる場合があります。めっき膜に含有されているガスについて調査するには、高真空中で試料を昇温させて脱離したガスを測定できるTDSが有効です。
以下にSUS部材上にNi/Auめっきを施した試料について、TDS分析を行った結果を示します。めっき膜からH2, HCN, H2S, HClの脱離が確認できました。また、定量値の算出を行いました。
データ
MST技術資料No. | C0464 |
掲載日 | 2017/03/30 |
測定法・加工法 | [TDS]昇温脱離ガス分析法
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製品分野 | LSI・メモリ
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分析目的 | 組成評価・同定 微量濃度評価
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